RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
71
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
53
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2319
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Mushkin 994083 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link