RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
71
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
53
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2319
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LU1KBG/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link