RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2963
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link