RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3091
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-083.A00LF 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link