RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
4052
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link