RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Porównaj
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2028
4064
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5402-052.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link