RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
42
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
21
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2807
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link