RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3273
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link