RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3386
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link