RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
42
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.8
Скорость записи, Гб/сек
9.4
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3386
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link