RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3389
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link