RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
42
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.4
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3389
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link