RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3375
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link