RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3014
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link