RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3771
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link