RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3635
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link