RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
19.8
Скорость записи, Гб/сек
9.4
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3635
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link