RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
19.8
Скорость записи, Гб/сек
9.4
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3635
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link