RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
4173
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link