RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3583
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link