RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3606
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
INTENSO 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link