RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3722
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link