RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3722
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link