RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
42
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3310
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link