RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
42
Intorno -91% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.8
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
22
Velocità di lettura, GB/s
13.2
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
3310
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link