RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
104
Intorno -285% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
27
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3712
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link