RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.1
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
22.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
20.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
4421
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link