RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
50
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
50
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
2326
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link