RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
42
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2440
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link