RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
99
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
99
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
1358
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link