RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
99
Около 58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.2
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
99
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
13.1
Скорость записи, Гб/сек
9.4
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
1358
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link