RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2809
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link