RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
77
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3449
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link