RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
42
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2732
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link