RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
43
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
43
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2501
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link