RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
43
Около 2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.2
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.7
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
43
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
12.2
Скорость записи, Гб/сек
9.4
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2501
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link