RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
42
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2417
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link