RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
42
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
19
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3626
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link