RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
42
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
19
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.4
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3626
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link