RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
96
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
96
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
1211
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link