RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2783
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link