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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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需要考虑的原因
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
13.2
15.6
写入速度,GB/s
9.4
13.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
2783
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
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Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
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