RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
54
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
5.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
4.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
54
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
5.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
4.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
1277
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link