RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,135.0
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
51
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
21
Prędkość odczytu, GB/s
5,021.4
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,135.0
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
3356
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link