RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
54
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
54
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2354
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Kingston 9905403-440.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link