RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
54
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
54
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2354
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link