RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Comparar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
54
Por volta de 22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
54
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2326
2354
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9S/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link