RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
42
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2580
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link