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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
42
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
22
读取速度,GB/s
13.2
18.1
写入速度,GB/s
9.4
12.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
2580
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
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