RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
45
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
45
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2943
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link