RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
27
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2432
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link