RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
83
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
83
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
1774
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link