RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
66
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1810
3085
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link