RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
66
Wokół strony -214% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
3427
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link